AI狂潮推動記憶體需求飆升，加上過去兩年記憶體廠資本支出不足，華爾街投行摩根士丹利高喊，DRAM市場正迎來前所未見的「超級周期」，標準型DRAM缺口將更勝HBM，價格也跟著水漲船高，第三季報價估季增15％。
國際大廠戮力投入高頻款記憶體（HBM）消耗龐大產能，加上過去兩年資本支出不足、沒有新的晶圓廠擴增產能，導致標準型DRAM供應銳減。摩根士丹利（大摩）預期，標準型DRAM缺口將更勝HBM，價格將隨之走揚，第三季報價估計增15％。
無獨有偶，瑞銀證券最新報告也與大摩看法相仿，透露國際大廠搶進HBM對標準型DRAM造成產能排擠，為DRAM市場邁向超級周期提供動力，已成外資圈共識。
HBM所需晶元容量是標準型DRAM的兩倍，而現階段HBM良率遠低於標準型DRAM，也因此消耗更多產能，加上過去兩年記憶體廠資本支出不足，導致新增產能有限。
大摩表示，由於HBM對標準型DRAM帶來產能排擠效應持續存在，復以AI智能手機、AI PC創造出額外的產能需求，DRAM市場預計將面臨更嚴重的供應短缺。預期2025年標準型DRAM缺口將罕見高達23％，並推升DRAM價格水漲船高。大摩更指出，隨著HBM市占率攀升，整體市場供應不足將更加顯著。
第三季DRAM和NAND晶片價格預估走揚，大摩大舉調高漲幅為13％與20％，調升幅度超過六成。國際大廠SK海力士、三星持續拓產HBM、DRAM產能，預估第三季DRAM合約價季增約10～15％。
而隨著DRAM超級周期迎面而來，報價漲幅超乎預期，可望成為南亞科、十詮、威剛等台廠的營運火種。